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三星出货全球首款多芯片封装相变存储颗粒

发布时间: 2010-04-29

    相变存储技术看来终于要走出实验室,走向市场了。继Numonyx宣布出货Omneo系列相变存储芯片后,三星电子近日也宣布,推出全球首款多芯片封装(MCP)PRAM相变存储颗粒产品。  
    相变存储属于非易失性存储技术,可以像闪存那样在关机后继续保持数据。三星就表示,这款512Mbit容量MCP封装PRAM颗粒在软硬件功能上都和40nm级NOR闪存颗粒完全兼容,方便客户厂商在产品中加入该存储颗粒。由于相变存储技术的高写入速度特性,采用PRAM可有效提升数码设备的存储速度。  
    三星表示,多芯片封装PRAM颗粒将于本季度晚些时候开始批量出货,主要供应给手机厂商。三星预测,到2011年PRAM相变存储技术将被广泛应用,在消费电子领域中替代NOR型闪存。